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La faible résistance du nouveau MOSFET de puissance de ST le destine aux applications de conversion DC/DC |
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Genève,
le 24 octobre 2003 - STMicroelectronics introduit un MOSFET à canal
N caractérisé par une très faible résistance drain-source à l'état passant
RDS(on), une charge de grille réduite et une faible résistance thermique.
Ces propriétés ont été optimisées afin que le circuit convienne particulièrement
aux convertisseurs continu-continu de forte intensité.Le STD150NH02L est un MOSFET à canal N, qui supportera une tension drain-source (VDS) de 24V et un courant de drain maximum ID de 150A. Pour ces valeurs, la résistance RDS(on) est de 0,0035 O. La résistance typique RDS(on) est de 0,003 O sous 10V et de 0,005 O sous 5V. Ceci contribue à réduire les pertes de conduction. Ce nouveau circuit a été également conçu de manière à présenter une faible charge de grille QG, permettant de limiter les pertes de commutation du composant. Il a été conçu pour bénéficier d'une faible résistance thermique, qui améliore sa tenue en courant. Le STD150NH02L est réalisé dans la troisième génération de la technologie de fabrication StripFET de ST. Cette technologie propriétaire de 0,6µ utilise des techniques de métallisation uniques ainsi qu'une technique d'assemblage sans soudure, afin d'obtenir de bonnes performances d'un montage en boîtier DPAK standard. Ce MOSFET convient ainsi spécialement aux convertisseurs à haut rendement, censés fonctionner avec des courants de sortie très élevés. Informations complémentaire sur le site Internet www.st.com/stripfet STMicroelectronics en bref STMicroelectronics est un leader mondial pour le développement et la réalisation de solutions sur silicium destinées à un grand nombre d'applications. Son expertise du silicium et des systèmes, sa puissance industrielle, son portefeuille de propriétés intellectuelles et ses alliances stratégiques placent ST à l'avant-garde des technologies de systèmes sur puce, et ses produits contribuent pleinement à la convergence des applications et des marchés. STMicroelectronics est coté à la Bourse de New York, de Paris (Euronext) et de Milan. En 2002, ST a réalisé un chiffre d'affaires net de 6,32 milliards de dollars et un résultat net de 429,4 millions. Des informations complémentaires sont disponibles sur le site http://www.st.com. |
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