Cette usine de pointe, qui disposera de lignes de production de tranches de silicium de 8 pouces et 12 pouces, permettra aux deux sociétés de mieux servir leurs clients dans le monde entier et de pénétrer encore plus efficacement le marché chinois

Genève et Séoul, le 16 novembre 2004 STMicroelectronics (NYSE : STM) et Hynix Semiconductor (Bloomberg : 000660 KS), deux des plus grands fabricants mondiaux de semiconducteurs, annoncent ce jour la signature d'un accord de joint-venture pour construire une usine de production de mémoires à Wuxi, dans la province chinoise de Jiangsu. Dédiée à la fabrication de mémoires DRAM et Flash NAND, cette nouvelle usine est bénéfique pour la croissance de la production de DRAM d' Hynix et pour la création d'une capacité de production de Flash NAND ST. Elle est une extension logique de la relation réussie entre Hynix et ST dans la technologie, le développement et la fabrication de mémoires Flash NAND.

Choisie pour ses avantages et sa proximité avec Shanghai, la ville de Wuxi offre un bassin d'emploi qualifié et de bonnes infrastructures. La construction de cette usine ultra-moderne, comportant plus de 18000 mètres carrés de salles blanches, devrait commencer au début de l'année 2005. Une fois achevée, elle emploiera environ 1500 personnes et comportera d'abord deux lignes de fabrication offrant la technologie la plus avancée : une ligne de production de tranches de silicium 8 pouces, dont la fabrication en volume devrait démarrer en 2006, et une ligne 12 pouces, dont la fabrication en volume commencera en 2007. A plein régime, chaque ligne produira 20000 tranches de silicium par mois. Cette nouvelle unité complétera les capacités de pointe de chacune des deux sociétés, tout en leur apportant des capacités de production à coût extrêmement compétitif et un meilleur accès au marché chinois en rapide expansion.

Le marché chinois représente actuellement 14 % des ventes mondiales de semiconducteurs et il devrait connaître une croissance annuelle moyenne de plus de 20 % entre 2003 et 2008. La Chine représente déjà environ 1,5 milliard de dollars dans le chiffre d'affaires de ST. Grâce à un portefeuille complet de mémoires Flash (parmi lesquelles des mémoires NAND de 1 Gbit), notamment pour le marché des telecommunications, les ventes de mémoires de ST se développent rapidement en Chine. Une part significative des ventes de Hynix à partir de la Chine est attribuable à la forte prédominance de sa marque qui s'est construite pendant de nombreuses années.

" Cette usine de classe mondiale contribue à positionner ST comme fournisseur de solutions complètes, en particulier pour les marchés des télécommunications et de l'électronique grand public, avec la capacité d'offrir des mémoires, des processeurs multimédia et des solutions systèmes dans un seul boîtier. ST démontre non seulement sa capacité à offrir des systèmes sur puce complexes et des solutions dédiées, mais également des circuits avancés et à coût compétitif en volume à une base de clientèle large. ", a déclaré Carlo Bozotti, vice-président corporate du groupe Produits Mémoires de STMicroelectronics. " Avec cet accord, les relations de ST et d'Hynix deviennent un véritable partenariat industriel, impliquant des engagements financiers communs significatifs, " a ajouté Pasquale Pistorio Président et CEO de STMicroelectronics.

" Hynix est heureux de prolonger son partenariat avec ST pour construire une usine de production de classe mondiale en Chine. Cette alliance sera mutuellement bénéfique à la croissance à long terme de chacune des deux entreprises. En ayant achevé sa restructuration par la vente de ses activités non- mémoires et réalisé des profits élevés en 2004, Hynix prévoit d'étendre ses positions sur le marché grâce à cette unité de fabrication en Chine et de diversifier son portefeuille de produits qui comprend des mémoires pour serveurs " haute performance ", des mémoires graphiques, des mémoires pour équipements mobiles, des mémoires pour applications grand public et des mémoires Flash NAND ", a déclaré Eui-Jei Woo, président et CEO de Hynix Semiconductor Inc.

Cette joint-venture renforcera la compétitivité de Hynix en lui permettant de disposer de capacités de fabrication sur tranches de 300 mm et de résoudre les effets actuels et potentiels liés aux réglementations commerciales. Elle assure à STMicroelectronics un accès à la technologie et aux mémoires DRAM à coût compétitif que ST peut utiliser dans de nouvelles conceptions et qu'elle a fabriquées pour satisfaire les besoins de certains clients.

L'investissement total prévu pour ce projet est de 2 milliards de dollars. Il sera financé en fonds propres par les deux partenaires (Hynix 67%, ST 33%), par un prêt a long terme de 250 millions de dollars de ST, ainsi qu'un ensemble de financements de la part des institutions financières locales Chinoises, qui incluera un prêt et un bail à long terme. ST et Hynix procèdent actuellement au recueil des approbations gouvernementales requises et à la finalisation du montage financier. En 2005, l'investissement de ST et d'Hynix devrait atteindre environ 375 millions de dollars, répartis respectivement sur une base un tiers-deux tiers.

A propos de Hynix Semiconductor Inc.
Hynix Semiconductor Inc. ("HSI") de Ichon, en Corée, le premier fournisseur " top tier " de mémoires, propose des mémoires de type DRAM (mémoires vives dynamiques), SRAM (mémoires statiques) et Flash à une large variété de grands clients internationaux. Les actions de la société sont cotées à la Bourse de Corée et les " Global Depositary Shares " au marché des changes du Luxembourg. Des informations complémentaires sur Hynix sont disponibles à l'adresse Internet www.hynix.com .

STMicroelectronics en bref
STMicroelectronics est un leader mondial pour le développement et la réalisation de solutions sur silicium destinées à un grand nombre d'applications. Son expertise du silicium et des systèmes, sa puissance industrielle, son portefeuille de propriétés intellectuelles et ses alliances stratégiques placent ST à l'avant-garde des technologies de systèmes sur puce, et ses produits contribuent pleinement à la convergence des applications et des marchés. STMicroelectronics est coté à la Bourse de New York, de Paris (Euronext) et de Milan. En 2003, ST a réalisé un chiffre d'affaires net de 7,24 milliards de dollars et un résultat net de 253 millions. Des informations complémentaires sont disponibles sur le site www.st.com


NB :
Les mémoires Flash NAND et DRAM (mémoires vives dynamiques) sont deux types différents de semiconducteurs utilisés pour le stockage d'information dans les produits électroniques. La mémoire DRAM, courante dans les micro ordinateurs, est une mémoire volatile capable de sauvegarder des informations à condition d'être alimentée en permanence. Associées aux mémoires Flash, les DRAM sont en train de devenir une composante mémoire clé dans les terminaux mobiles. Par opposition, la mémoire Flash est un type de mémoires non volatile. Elle est couramment utilisée dans les applications numériques, telles que les téléphones portables et les appareils photo numériques, qui ont besoin de conserver les données en mémoire même lorsque l'alimentation est coupée.

Il existe deux types de mémoires Flash, la NAND et la NOR, qui diffèrent en termes d'architecture et de certaines propriétés électriques et opérationnelles. La mémoire Flash NAND se caractérisant par un temps de programmation plus rapide, elle convient mieux aux applications comme les appareils photo numériques, où de grandes quantités de données doivent être écrites rapidement. En revanche, la mémoire Flash NOR, avec son temps d'accès plus rapide, convient mieux aux applications dont l'espace mémoire est occupé principalement par le programme.

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