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Hynix et STMicroelectronics posent la première
pierre de leur usine de production de mémoires en Chine
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Genève et Séoul, le 28 avril 2005 - Dans le prolongement de l’annonce, le 16 novembre 2004, d’un accord de joint-venture entre STMicroelectronics et Hynix Semiconductors, deux des principaux fabricants mondiaux de semiconducteurs, les deux sociétés ont posé aujourd’hui la première pierre de leur usine de production de mémoires à Wuxi, dans la province chinoise de Jiangsu, devant des représentants de la ville, de la région et des Etats chinois et coréen. La nouvelle usine, qui fabriquera à la fois des mémoires DRAM et Flash NAND, constitue pour Hynix et ST l’extension logique des relations réussies dans le domaine de la fabrication. Elle offrira aux deux sociétés un excellent accès au marché chinois en rapide expansion. Elle permettra également à ST de mieux servir ses clients clés, en particulier sur les marchés des télécommunications et de l’électronique grand public, avec la fourniture de mémoires, de processeurs multimédia et de solutions systèmes en un seul boîtier, grâce à des technologies avancées et des produits à coût compétitif. La nouvelle usine donnera notamment à ST l’accès à des mémoires DRAM de haute performance à faible coût, et renforcera ses capacités de production de mémoires empilées en un seul boîtier (MCP) et de solutions systèmes dans un boîtier (SiP). La joint-venture devrait devenir un pilier de la compétitivité à long terme d’Hynix, qui pourra ainsi accéder à des capacités de production de tranches de 300 mm avec un investissement minimum, bénéficier d’un environnement de fabrication à coût compétititif et maintenir sa position de leader sur le marché chinois en croissance rapide. La nouvelle usine de semiconducteurs apportera également à Hynix un nouveau site de dimension mondiale lui permettant de résoudre des différends commerciaux, comme les obligations de réciprocité imposées aux produits Hynix aux Etats-Unis et en Europe. Très bien situé à Wuxi, à deux heures de Shanghai, la ville la plus cosmopolite et moderne de Chine, le site se trouve dans un vaste bassin d’emploi disposant de bonnes infrastructures et permettant une éventuelle expansion. Sur le site de la nouvelle usine, une ligne de production de tranches de 200 mm devrait entrer en service en fin d’année, d’abord avec une technologie de fabrication stable transférée des usines d’Hynix en Corée. Une ligne 300 mm démarrera ensuite fin 2006. S’ajoutant aux moyens de production mondiaux des deux sociétés, ces lignes leur apporteront des capacités à coût extrêmement compétitif sur l’un des marchés les plus dynamiques du monde pour l’électronique et les semiconducteurs. Le marché chinois représente actuellement près de 15 % des ventes mondiales de semiconducteurs. Il devrait croître à un rythme annuel supérieur à 20 % d’ici 2008. « Cette joint-venture permet à STMicroelectronics de renforcer encore sa solide présence sur le marché le plus prometteur du monde. Prolongeant la collaboration réussie d’Hynix et ST pour le développement de technologies et de produits, cette nouvelle initiative commune, à Wuxi, permettra à ST, le deuxième fournisseur de semiconducteurs en Chine, d’être encore plus compétitif dans ce pays et dans le reste du monde. », a déclaré Carlo Bozotti, président et CEO de STMicroelectronics. « Hynix Semiconductor est en train de devenir un fabricant mondial de mémoires, grâce à la mise en place d’un réseau global de fabrication reliant la Corée, les Etats-Unis et la Chine. Cette joint-venture permettra de renforcer encore la relation de coopération entre ST, Wuxi et Hynix. Elle sera mutuellement bénéfique à leur croissance à long terme. », a déclaré Eui-Jei Woo, président et CEO d’Hynix Semiconductor. L’investissement total prévu pour le projet s’élève à 2 milliards de dollars. Il sera financé par des fonds propres des deux partenaires (Hynix 67 %, ST 33 %), un prêt à long terme de 250 millions de dollars de ST et un ensemble de financements des institutions financières locales chinoises, comprenant un prêt et un bail à long terme. ST et Hynix procèdent actuellement au recueil des approbations gouvernementales nécessaires et à la finalisation du montage financier. En 2005, l’investissement de ST et d’Hynix devrait atteindre environ 375 millions de dollars, répartis respectivement sur une base un tiers-deux tiers.  A
propos d’Hynix Semiconductor Inc.Hynix Semiconductor Inc. (« HSI ») de Ichon, en Corée, le premier fournisseur « top tier » de mémoires, propose des mémoires de type DRAM (mémoires vives dynamiques), SRAM (mémoires statiques) et Flash à une large variété de grands clients internationaux. Les actions de la société sont cotées à la Bourse de Corée et les « Global Depositary Shares » au marché des changes du Luxembourg. Des informations complémentaires sur Hynix sont disponibles à l’adresse Internet www.hynix.com. A propos de STMicroelectronics STMicroelectronics est un leader mondial pour le développement et la réalisation de solutions sur silicium destinées à un grand nombre d'applications. Son expertise du silicium et des systèmes, sa puissance industrielle, son portefeuille de propriétés intellectuelles et ses alliances stratégiques placent ST à l'avant-garde des technologies de systèmes sur puce, et ses produits contribuent pleinement à la convergence des applications et des marchés. STMicroelectronics est coté à la Bourse de New York, de Paris (Euronext) et de Milan. En 2004, ST a réalisé un chiffre d'affaires net de 8,76 milliards de dollars et un résultat net de 601 millions. Des informations complémentaires sont disponibles sur le site www.st.com. Hynix Ah-Young Kim Manager, Corporate Communications Tel : +82 2 3459 5355 Fax : +82 2 3459 5333 Email : ahyoung.kim@hynix.com |
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