Cette nouvelle usine à la pointe de la technologie, où seront fabriquées des mémoires Flash NAND et DRAM, est le fruit d’une collaboration de longue date entre Hynix et ST. Les deux partenaires réaliseront d’importantes économies d’échelle, bénéficieront d’un accès de premier plan au marché chinois en forte croissance, et pourront s’appuyer sur leurs compétences complémentaires dans le développement des technologies de fabrication et des produits. L’usine de Wuxi permettra à ST d’accélérer sa progression sur le marché des mémoires Flash NAND et de fournir des circuits DRAM de hautes performances au meilleur coût pour des systèmes embarqués, empilées avec des mémoires Flash. Ce nouveau site étend les capacités de production de Hynix en 300mm et renforce son leadership sur le marché chinois des semiconducteurs — un marché qui affiche le plus fort taux de croissance au monde. Hynix occupe actuellement la première place sur le marché chinois des mémoires DRAM avec environ 47% de parts de marché, selon les chiffres récemment publiés par le cabinet iSuppli. Avec l’entrée en service de l’usine de Wuxi, Hynix se dote d’un autre outil de production international, en plus de son usine d’Eugene, dans l’état américain de l’Oregon.

Les deux sociétés ont posé la première pierre de l’usine de Wuxi en avril 2005. Ce site, qui occupe une surface de 550.000 mètres carrés dont 20.000 mètres carrés de salle blanche, dispose de lignes de fabrication en 200mm et 300mm, entrées respectivement en service aux mois de juillet et octobre 2006. Actuellement, les mémoires DRAM sont fabriquées en technologies de 90 nm et 110 nm sur la ligne de fabrication en 200mm et de 80 nm sur la ligne de fabrication en 300mm. A la mi-2007, les lignes commenceront à fabriquer des mémoires Flash NAND, en plus des mémoires DRAM. La ligne 200mm produit actuellement 50.000 tranches par mois, tandis que la ligne 300mm devrait fonctionner au rythme de 18.000 tranches par mois. La répartition entre les produits et les densités de mémoire se fera en fonction des conditions du marché.

Cette usine d’une valeur de 2 milliards de dollars est financée par des fonds propres de STMicroelectronics et de Hynix pour respectivement un tiers et deux tiers, et un programme de financement des institutions chinoises locales et de STMicroelectronics.

L’entreprise commune emploie environ 2.000 personnes, dont la majorité a été recrutée au sein de la population locale. Située à deux heures de Shanghai, l’usine de Wuxi permet à la fois de disposer d’une main d’œuvre importante et très compétente et d’accéder à de bonnes infrastructures disposant d’un potentiel d’expansion.

« Un partenariat de cette envergure est probablement le plus importante que l’on est jamais créée entre une entreprise européenne et une entreprise coréenne », déclare Carlo Bozotti, Président et CEO de STMicroelectronics. « Elle permettra aux deux partenaires de réaliser d’importantes économies d’échelle et de bénéficier d’une grande complémentarité. L’accès garanti à des mémoires DRAM compétitives, ainsi qu’à des technologies et des produits NAND développés en commun, renforce le leadership de ST en matière d’intégration au niveau du boîtier (PLI). En empilant plusieurs circuits mémoire dans un boîtier, la technologie PLI permet à nos clients, en Chine et dans le monde entier, d’augmenter la densité de la mémoire et la fiabilité des produits tout en réduisant l’espace occupé dans les téléphones mobiles et autres applications industrielles et grand public ».

« En 2005, le marché des mémoires Flash NAND a progressé plus rapidement que tout autre segment dans l’histoire du marché des semiconducteurs grâce à la demande vertigineuse de capacité de stockage des téléphones mobiles, des appareils photo numériques et des lecteurs audio portables», déclare Mario Licciardello, Corporate Vice President et Directeur Général du Groupe Produits Mémoire de STMicroelectronics. « La montée en puissance de la production en 300 mm avec les technologies NAND MLC (Multi-Level Cell) et SLC (Single-Level Cell) de 60 nm (et bientôt de 55 nm et moins) permettra à ST de faire face à cette croissance et de répondre à la demande de ses clients en solutions mémoires performantes et compétitives adaptées aux exigences des marchés grand public numérique et portable ».

« L’usine de Wuxi n’aurait pu voir le jour sans la collaboration de ST et le soutien de Wuxi. Nous sommes convaincus que cette co-entreprise va renforcer les liens tissés entre ST, Hynix et Wuxi et que ce nouveau site contribuera à la croissance à long terme de chacune des entreprises », déclare Eui-Jei Woo, Chairman et CEO de Hynix Semiconductor. « Je suis convaincu que l’usine de Wuxi constituera un ancrage solide qui permettra à notre société de devenir un fabricant de mémoires de dimension internationale ».

« Avec l’entrée en service de l’usine de Wuxi, Hynix a mis en place un réseau de production mondial qui relie la Corée, les États-Unis et la Chine », déclare O. C. Kwon, Senior Vice President, Planification Stratégique de Hynix Semiconductor et Chairman de Hynix ST Semiconductor Ltd. « Cette co-entreprise sera une base solide pour la compétitivité à long terme de Hynix ».

Selon le cabinet d’études iSuppli, le marché des mémoires DRAM devrait progresser de 24,4% cette année, avec un chiffre d’affaires de 30,9 milliards de dollars. Le marché des mémoires Flash NAND devrait pour sa part enregistrer une croissance de 17% en 2006 avec un chiffre d’affaires de 12,6 milliards de dollars.

Avec environ 15% du marché mondial, la Chine représente aujourd’hui le marché qui affiche la progression la plus rapide dans le domaine des semiconducteurs. Selon les prévisions des analystes, le marché chinois devrait être le plus grand marché au monde et représenter plus d’un quart du marché mondial des semiconducteurs en 2008.

A propos d’Hynix Semiconductor Inc.
Hynix Semiconductor Inc. (« HSI ») de Icheon, en Corée, le premier fournisseur de mémoires, propose des mémoires de type DRAM (mémoires vives dynamiques), SRAM (mémoires statiques) et Flash à un grand nombre de clients internationaux. Les actions de la société sont cotées à la Bourse de Corée et les « Global Depositary Shares » au marché des changes du Luxembourg. Des informations complémentaires sur Hynix sont disponibles sur ww.hynix.com.

A propos de STMicroelectronics
STMicroelectronics est un leader mondial pour le développement et la réalisation de solutions sur silicium destinées à un grand nombre d'applications. Son expertise du silicium et des systèmes, sa puissance industrielle, son portefeuille de propriétés intellectuelles et ses alliances stratégiques placent ST à l'avant-garde des technologies de systèmes sur puce, et ses produits contribuent pleinement à la convergence des applications et des marchés. STMicroelectronics est coté à la Bourse de New York, de Paris (Euronext) et de Milan. En 2005, ST a réalisé un chiffre d'affaires net de 8,88 milliards de dollars et un résultat net de 266 millions. Des informations complémentaires sont disponibles sur le site www.st.com.

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