Outre une diminution sensible des pertes à l’état passant grâce à la réduction de la valeur de la résistance, le STD11NM60N 600 V dispose d’un circuit de commande basse consommation qui permet au MOSFET de commander des courants plus élevés avec un seuil de tension VGS_(th) (Voltage Gate Threshold) inférieur. En fait, pour une plage de tension de seuil (2 V) identique, la plage de tension VGS utilisée pour le système a été réduite, ce qui optimise la commande et assure une immunité au bruit accrue empêchant le circuit de basculer à l’état passant de façon intempestive.

Le STD11NM60N affiche une excellente tenue en dV/dt de la diode, ainsi que d’excellentes performances en mode avalanche, de sorte que les clients peuvent maintenir les températures opérationnelles dans la plage opératoire typique. Compte tenu des très faibles pertes de conduction et de la réduction de la dissipation, ce circuit permet également de réduire les dimensions des dissipateurs de chaleur, ce qui diminue de manière significative l’espace occupé sur la carte.

La taille réduite du circuit, monté en boîtiers DPAK/IPAK et TO-220FP compacts, facilite son utilisation dans des applications d’éclairage telles que les ballasts électroniques à facteur de puissance élevé (HPF) et les ballasts électroniques pour lampes à décharge de haute intensité (HID).

Le STD11NM60N est disponible en série au prix de 0,90 $ par 10 000 unités.

Complément d’information technique
Les excellentes performances de la technologie MDmesh™ (Multiple Drain mesh™) de ST sont dues à une structure de drain novatrice où celui-ci est mis en œuvre sous forme d’un réseau partagé où les bandes verticales P, extension de la structure, sont  alignées sur les bandes horizontales N, de même épaisseur. Dans la technologie MDmesh de nouvelle génération, MDmeshII, de nouvelles améliorations apportées au réseau de bandes P permettent de réduire la résistance à l’état passant (R_DS(ON) jusqu’à 55% de la valeur par rapport à la première génération, sans pénaliser le contrôle étroit de la température.

MDmesh™ est une marque déposée de STMicroelectronics

De plus amples informations sont également disponibles sur les commutateurs en courant alternatif de ST en cliquant sur le lien  www.st.com/pmos

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