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STMicroelectronics finalise la migration de ses mémoires Flash NAND en technologie 70 nm et annonce leur production en volume
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Ces mémoires haute densité sont conçues pour stocker de grandes quantités de données dans une large gamme d’applications informatiques et grand public : appareils photo numériques, assistants numériques personnels (PDA), systèmes de navigation GPS, cartes Flash et interfaces USB, imprimantes, décodeurs et téléviseurs numériques et systèmes multimédias pour l’automobile et les téléphones cellulaires. Tous les modèles de cette famille se caractérisent par des débits et un effacement des données ultra-rapides. Sur toutes les références de cette famille, les lignes d’adresse et les signaux d’Entrée/Sortie de données sont multiplexés sur un bus 8 ou 16 bits, ce qui réduit le nombre de broches et permet d’utiliser une interface NAND modulaire grâce à laquelle les systèmes peuvent être adaptés à des mémoires de densités supérieures (ou inférieures) sans incidence sur la taille. La chaîne d’outils logiciels ST disponible accélère le développement des produits qui utilisent les nouvelles mémoires et permet également d’allonger la durée de vie. Parmi ces outils figurent : la correction d’erreur ECC (Error Code Correction), la gestion des mauvais blocs pour détecter et remplacer un bloc incapable d’effectuer des opérations d’effacement ou de programmation en copiant ses données sur un bloc valide ; les algorithmes pour optimiser le vieillissement du système en répartissant les tâches d’effacement et de programmation entre tous les blocs, un logiciel de classement OS natif et des modèles de simulation. La mémoire est organisée en blocs pouvant être lus et programmés par page. Chaque page contient une zone réservée dont les octets sont généralement utilisés pour les codes de correction d’erreurs, les balises logicielles ou l’identification des blocs erronés. Un programme permet d’obtenir directement les données stockées sur une page dans une autre page, sans l’utilisation d’un tampon externe. La commande d’effacement de blocs exécute la demande en 2 ms. Chaque bloc est spécifié pour 100 000 cycles de programmation et d’effacement et pour une durée de conservation des données de 10 ans. Toutes ces mémoires sont dotées d’une fonction qui simplifie l’interface du microcontrôleur et rationalise l’utilisation de mémoires Flash NAND en association avec d’autres types de mémoires telles que les mémoires Flash NOR ou xRAM : l’association de différents types de mémoires est souvent utilisé lorsque des mémoires plus rapides sont nécessaires pour les codes ou mémoires de travail, alors que les mémoires NAND, avec un coût plus faible et une densité supérieure, sont réservées au stockage de fichiers volumineux. Les mémoires Flash NAND F70 SLC sont disponibles en volume dans les configurations suivantes :
Ces mémoires sont commercialisées entre 3 et 18 $ par 100 000 unités, en fonction de la densité et de la configuration. Cliquez ici pour accéder à la photo du produit en haute résolution
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