Dans un premier temps, il est prévu que ST teste et qualifie tous les produits et s’appuie sur son réseau de distribution mondial pour commercialiser et distribuer des diodes Schottky GaN sous la marque Velox. Dans un second temps, les deux partenaires se présenteront comme deux sources de production. Velox cède la licence de sa technologie de production à ST afin de lui permettre la fabrication comme  seconde source. Les deux sociétés synchroniseront leurs moyens de production et de contrôle de qualité. Si cette synchronisation risquait de reporter le lancement en production initialement prévu par Velox, un approvisionnement flexible et régulier des diodes GaN sera cependant  assuré.

« Nos deux sociétés sont convaincues que les diodes GaN offriront à moyen terme le meilleur compromis sur le marché des produits de puissance 600 V », déclare Ricardo de Sa Earp, Directeur général de la division Application Specific Discretes de STMicroelectronics. « L’accord conclu avec Velox nous permettra d’introduire rapidement une nouvelle gamme de produits en plein essor avec un minimum d’investissements et de R&D ».

« Notre accord avec ST permettra à Velox de répondre aux besoins de nos clients en matière de fiabilité d’approvisionnement et accélérera la qualification de nos produits vers un plus grand nombre de clients », déclare Thomas Hierl, CEO de Velox Semiconductor. « L’association de l’expertise acquise par ST en matière de fabrication, de fiabilité et de qualité à la technologie GaN de Velox permettra de constituer une véritable double-source d’approvisionnement en diodes GaN ».

La nitrure de gallium est un matériau semiconducteur à large bande, actuellement utilisé dans des applications optoélectroniques et dans des circuits haute fréquence et forte puissance. Dans les alimentations à découpage, il permet de mettre en œuvre des circuits de correction du facteur de puissance fonctionnant à des fréquences plus élevées offrant des avantages en matière d’efficacité, de taille des produits, de niveau de bruit, de réduction des exigences en matière de refroidissement et d’augmentation des performances.

L’utilisation d’un circuit GaN apporte de nombreux avantages à l’utilisateur, tels que la réduction des pertes de commutation dans la diode et le MOSFET, l’élimination de circuits « snubber » actifs en raison de l’absence de dépassement de tension au blocage, d’augmentation de l’efficacité et d’amélioration des performances en température.

La réduction des pertes de commutation dans les circuits GaN peut être appliquée de différentes façons afin d’optimiser la conception du circuit de l’utilisateur : en augmentant l’efficacité, en réduisant les exigences en matière de refroidissement ou en réduisant la tenue en courant du transistor. La fréquence de fonctionnement peut être accrue afin de permettre l’utilisation de composants passifs plus compacts ou de respecter les exigences acoustiques. L’absence d’oscillation haute fréquence au blocage réduit le recours à un filtre RFI.

À propos de Velox Semiconductor

Velox Semiconductor est un fabricant intégré de transistors et de diodes en nitrure de gallium (GaN). La technologie GaN de hautes performances développée par Velox permet d’optimiser le coût, les dimensions et l’efficacité des alimentations, avec à la clé une augmentation sensible de la portabilité. Velox a pour vocation de fournir des circuits GaN fiables et économiques aux fabricants d’alimentations électroniques, permettant ainsi à ses clients d’optimiser le coût, la taille et l’efficacité de leurs systèmes. Velox Semiconductor est une société privée située à Somerset dans le New Jersey. Pour tout complément d’information : www.veloxsemi.com