ST | STMicroelectronics protège les interfaces USB2.0 contre les décharges électrostatiques tout en réduisant la charge capacitive et l’encombrement | p2284
ACTUALITIES
 

STMicroelectronics protège les interfaces USB2.0 contre les décharges électrostatiques tout en réduisant la charge capacitive et l’encombrement

Le nouveau circuit en boîtier QFN à 6 broches de ST assure la protection des lignes de communications et Vbus conformément à la norme CEI 61000-4-2, niveau 4

Click for larger image Genève, 05 mai 2008 - STMicroelectronics (NYSE : STM), l’un des premiers fournisseurs mondiaux de circuits de protection, répond aux exigences de protection des interfaces USB à haut débit dont Vbus contre les décharges électrostatiques (ESD) avec un circuit monté en boitier QFN-6 ultra-compact (1,0 x 1,45 x 0,65 mm). Avec une capacité maximale de 0,85 pF à 240 MHz, le circuit USBULC6-2M6 minimise la distorsion et aide les concepteurs à répondre aux spécifications de 10 pF de  charge capacitive de ligne maximale jusqu’à 480 Mbits/s.

Par son encombrement réduit et sa faible épaisseur, le circuit USBULC6-2M6 constitue une solution idéale pour les téléphones mobiles, les ordinateurs de poche, les lecteurs multimédia personnels et autres systèmes de communications portables à haut débit nécessitant une protection conforme à la norme CEI 61000-4-2. Ce circuit répond aux spécifications de niveau 4 relatives aux décharges dans l’air à 15 kV et au contact à 8 kV et affiche une tension de claquage de 6,1 V. De plus, le faible courant de fuite maximum (0,5 µA) réduit la consommation d’énergie et préserve la durée de vie de la batterie.

Le circuit USBULC6-2M6 est optimisé en interne pour assurer une transparence maximale des signaux et se distingue par une organisation du  brochage traversant qui simplifie le dessin de la carte et assure l’adaptation de l’impédance sur toute la ligne de transmission de données.

En fournissant deux réseaux de diodes de protection complémentaires avec une adaptation de charge capacitive à 0,1 pF, l’USBULC6-2M6 convient à une large palette d’applications de signal mono-terminaison et différentielles à haut débit. La perte d’insertion nulle est spécifiée jusqu’à 3 GHz, ce qui permet d’utiliser ce circuit dans des applications telles que les communications Gigabit Ethernet, ainsi qu’avec les futurs protocoles à haut débit. Parmi les autres avantages figure une très basse tension d’écrêtage par rapport aux varistances métal-oxyde  qui constituent une alternative pour l’application, afin d’assurer une protection accrue aux circuits intégrés réalisés en technologie CMOS inférieure à 100 nm.

L’USBULC6-2M6 est disponible immédiatement au prix de 0,20 dollar pour des quantités supérieures à 1 000 unités.

Cliquez ici pour accéder à la photo du produit en haute résolution


A propos de STMicroelectronics
STMicroelectronics est un leader mondial pour le développement et la réalisation de solutions sur silicium destinées à un grand nombre d'applications. Son expertise du silicium et des systèmes, sa puissance industrielle, son portefeuille de propriétés intellectuelles et ses alliances stratégiques placent STMicroelectronics à l'avant-garde des technologies de systèmes sur puce, et ses produits contribuent pleinement aujourd'hui à la convergence des applications et des marchés. STMicroelectronics est coté à la Bourse de New York, de Paris (Euronext) et de Milan. En 2007, la Société a réalisé un chiffre d'affaires net de 10,0 milliards de dollars.Des informations complémentaires sont disponibles sur le site www.st.com.
Dernière mise à jour jan 2008

Pour plus d'informations, merci de sélectionner le contact approprié