I dispositivi STD60N3LH5 e STD85N3LH5 sono i primi di una nuova serie di componenti STripFET V che offrono prestazioni migliori e una maggiore efficienza grazie alla bassa resistenza “ON”  e a una minore carica complessiva di gate. Entrambi i componenti sono specificati a 30V (BVDSS). L’STD60N3LH5, con una carica di gate (Qg) di soli 8,8 nC (nanocoulomb) e una Rds(on) di 7,2 milliohm a 10V è la scelta ideale per un FET di controllo per un convertitore DC-DC step down non isolato. L’STD85N3LH5, con una Qg di 14 nC, è la scelta ideale per un FET sincrono. Entrambi i componenti sono prodotti nei package DPAK e IPAK e tra non molto saranno disponibili anche in diverse versioni di package, tra cui SO-8, PowerFLAT 3,3x3,3, PowerFLAT 6x5 e PolarPAK®. La nuova serie di dispositivi STripFET V è ideale per notebook, server, applicazioni di rete e telecomunicazioni.

La tecnologia STripFET della ST utilizza una altissima “densità equivalente di cella” e geometrie ridotte della cella in modo da garantire valori molto ridotti di resistenza “ON” e perdite bassissime, su un’area di silicio più piccola. La versione STripFET V è la generazione più recente di questa tecnologia e ha permesso di raggiungere, rispetto alla generazione precedente, un miglioramento del 35% circa nella resistenza del silicio perarea attiva, un indicatore molto importante, oltre a una riduzione del 20% circa nella carica totale di gate per area attiva.

Entrambi i dispositivi sono già in produzione. Il prezzo unitario dell’STD60N3LH5 è di $0,65 per l'acquisto di lotti di 2500 pezzi; il prezzo unitario dell’STD85N3LH5 è di $0,95 per l'acquisto di lotti di 2500 pezzi.

Per ulteriori informazioni si consiglia di visitare il sito www.st.com/pmos

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